ハロウィンの簡単演出術マザーツールオンステージ

2013年10月15日

シリコン“カーバイド”ハウス

こんにちは。
今日ご紹介させていただく2Fの商品はまたまたダイオードです。
が、これまで扱いのあったダイオードとはかなり違います。
SANY0512

メーカー:CREE
SiCショットキダイオード
『C3D03060F(写真左下)』1個¥400-
『C3D06060F(写真中央)』1個¥630-
『C3D10060A(写真右上)』1個¥880-

はい来たッ!来ましたッ!
SiC(シリコンカーバイド)ですよ!奥さんッ!!
(と言いつつ実は3060と06060は半年以上前から姉妹店のデジットで取り扱ってたり・・・)

ご存知無い方に簡単に説明させていただくと、SiCの半導体は既存のSi半導体に取って代わり得る次世代のパワーデバイスの最有力候補です。

特徴として
・Siのダイオードよりも逆回復時間が短いので高速スイッチングが可能。また、容量性電荷も少ないのでスイッチング損失が低減される。
・絶縁破壊電界強度が高いので高耐圧のデバイスでも小型化が可能。
・温度特性が良いので高温環境下でも安定した動作が期待できる。
等のメリットがあります。

日本では2010年から家電製品での使用も始まっているようです。
SiCのMOSFETも今後広まっていくものと思われます。

簡単に特性も書いておきましょう。
『C3D3060F』
・逆方向電圧 VRRM:600V
・順方向電流 IF(AVG):3A
・順方向電圧 VF(MAX):1.7V(IF=3A,TJ=25℃)
・容量性電荷 QC:6.7nC

『C3D06060F』
・逆方向電圧 VRRM:600V
・順方向電流 IF(AVG):6A
・順方向電圧 VF(MAX):1.8V(IF=6A,TJ=25℃)
・容量性電荷 QC:16nC

『C3D10060A』
・逆方向電圧 VRRM:600V
・順方向電流 IF(AVG):10A
・順方向電圧 VF(MAX):1.8V(IF=10A,TJ=25℃)
・容量性電荷 QC:25nC


半導体の新しい波に貴方も乗ってみませんか?
SiCショットキダイオードはシリコンハウス2Fで販売中です!

<担当:2F平田>

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通販ご希望の方は、ご利用ください。
CREE SiCショットキーダイオード 各種


siliconhouse at 19:17│TrackBack(0)2階売り場情報 

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この記事へのコメント

1. Posted by サラリッチー   2013年10月19日 13:19
4 ショットキーバリアダイオード?
IMP?フリーホイリング?
逆?電子雪崩?
GaN?SiC?ヒ素混入?

名前は聞くがなかなか縁が・・・
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